AIGaAs和GaAs的开管Zn扩散

提出了一种用限定室进行AlGaAs和GaAs开管Zn扩散的新方法。在700℃下,把Zn在GaAs和Al_xGa_(1-x)As (0.1≤x≤0.5)的扩散深度和质量与闭管扩散结果作了比较。发现这种新工艺能很好的控制扩散深度,并可作浅结扩散。比电阻率及表面载流子浓度用范德堡(Van der Pauw)法测量。扩散质量受所选用的溶剂金属的影响。讨论了几种溶剂金属的一些变化。可用这种工艺改进单片集成光学器件的欧姆接触。