首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

GaN基紫外探测器及其研究进展
引用本文:李向阳,许金通,汤英文,李雪,张燕,龚海梅,赵德刚,杨辉.GaN基紫外探测器及其研究进展[J].红外与激光工程,2006,35(3):276-280.
作者姓名:李向阳  许金通  汤英文  李雪  张燕  龚海梅  赵德刚  杨辉
作者单位:1. 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083
2. 中国科学院半导体研究所,北京,100083
摘    要:宽禁带半导体材料的研究和突破,带动了各种器件的发展和应用。GaN基紫外探测器具有通过调整材料的配比可以调节器件响应的截止波长的优点,可以制备日盲型紫外探测器。对GaN基宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回顾,重点介绍了p型材料的制备、金属半导体接触、材料的蚀刻等。最后,对国内外近期的紫外探测器特别是紫外焦平面器件的研究进展及初步获得的32×32紫外焦平面探测器进行了简单介绍。

关 键 词:紫外探测器  氮化镓  铝镓氮  紫外焦平面器件
文章编号:1007-2276(2006)03-0276-05
收稿时间:2005-10-23
修稿时间:2005-12-20

GaN based ultraviolet detectors and its recent development
LI Xiang-yang,XU Jin-tong,TANG Ying-wen,LI Xue,ZHANG Yan,GONG Hai-mei,ZHAO De-gang,YANG Hui.GaN based ultraviolet detectors and its recent development[J].Infrared and Laser Engineering,2006,35(3):276-280.
Authors:LI Xiang-yang  XU Jin-tong  TANG Ying-wen  LI Xue  ZHANG Yan  GONG Hai-mei  ZHAO De-gang  YANG Hui
Abstract:
Keywords:Ultraviolet detector  GaN  A1GaN  UV FPA
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号