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较大直径、低位错锑化铟单晶的研制
引用本文:徐向东,钟琦.较大直径、低位错锑化铟单晶的研制[J].红外与激光工程,1995(6).
作者姓名:徐向东  钟琦
作者单位:天津航天工业总公司第三研究院三五八所
摘    要:本文简要介绍了用TDK-36单晶炉拉制的较大直径(φ=25mm)、低位错(<100cm ̄(-2))的锑化铟单晶的理论和实践。通过对晶体生长室内温场,特别是内外坩埚尺寸的调整及对循环水流量的控制,成功地拉制出较大直径、低位错的锑化铟单晶。

关 键 词:锑化铟,单晶,位错密度

DEVELOPMENT OF InSb SINGLE CKYSTAL WITH LARGE DIAMLTER AND LOW DISLOCATION
Xu Xiangdong, ZhongQi.DEVELOPMENT OF InSb SINGLE CKYSTAL WITH LARGE DIAMLTER AND LOW DISLOCATION[J].Infrared and Laser Engineering,1995(6).
Authors:Xu Xiangdong  ZhongQi
Affiliation:The 8358th Institute 3rd Academy CASC Tianjin 300192
Abstract:
Keywords:InSb Single crystal Dislocation
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