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| InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器光电特性理论计算 | |
| 引用本文： | 史衍丽,李凡,赵鲁生,徐文.InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器光电特性理论计算[J].红外与激光工程,2011,40(6):981-985. |
| 作者姓名： | 史衍丽 李凡 赵鲁生 徐文 |
| 作者单位： | 1. 昆明物理研究所,云南昆明,650223 2. 中国科学院固体物理研究所,安徽合肥,230031 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金重点基金项目(U1037602) |
| 摘 要： | InAs/GaSbⅡ类超晶格是目前国际上公认的制备第三代高性能红外探测器的理想材料之一,具有能带结构可调、波长响应范围宽、量子效率高、利于实现大面积焦平面阵列等独特优势.为了充分利用这一材料的优点,对材料进行优化设计,采用Kronig-Penney模型对材料的能带结构进行了理论计算；同时,利用输运理论的质量和动量平衡方... |
| 关 键 词： | InAs/GaSbⅡ类超晶格 第三代红外探测器 Kronig-Penney方法 质量和动量平衡方程 |
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