| MBE生长中缓冲层对InSb/GaAs质量影响的研究 |
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| 引用本文： | 李占国,刘国军,尤明慧,熊敏,李梅,李林.MBE生长中缓冲层对InSb/GaAs质量影响的研究[J].红外与激光工程,2007,36(Z1). |
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| 作者姓名： | 李占国 刘国军 尤明慧 熊敏 李梅 李林 |
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| 作者单位： | 1. 长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022
2. 长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022;哈尔滨工业大学,黑龙江,哈尔滨,150001 |
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| 摘 要： | 用分子束外延(MBE)方法在GaAs(001)衬底上外延生长了InSb薄膜,并研究了异质外延InSb薄膜生长中缓冲层对材料质量的影响.采用原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线双晶衍射(DCXRD)等方法研究了InSb/GaAs薄膜的表面形貌、界面特性以及结晶质量.通过生长合适厚度的缓冲层,获得了室温下DCXRD半高峰宽为272",迁移率为64 300 cm2V-1s-1的InSb外延层.
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| 关 键 词： | 分子束外延 缓冲层 原子力显微镜 透射电子显微镜 |
Buffer effect on quality of InSb/GaAs on MBE growth |
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| LI Zhan-guo,LIU Guo-jun,YOU Ming-hui,XIONG min,LI mei,LI Lin.Buffer effect on quality of InSb/GaAs on MBE growth[J].Infrared and Laser Engineering,2007,36(Z1). |
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| Authors: | LI Zhan-guo LIU Guo-jun YOU Ming-hui XIONG min LI mei LI Lin |
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