| 生长温度对In0.82Ga0.18As表面形貌和结晶质量的影响 |
| |
| 引用本文： | 张铁民,缪国庆,金亿鑫,于淑珍,蒋红,李志明,宋航.生长温度对In0.82Ga0.18As表面形貌和结晶质量的影响[J].红外与激光工程,2007,36(Z1). |
| |
| 作者姓名： | 张铁民 缪国庆 金亿鑫 于淑珍 蒋红 李志明 宋航 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目
,
国家自然科学基金面上项目 |
| |
| 摘 要： | 采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在InP衬底上外延生长In0.82Ga0.18As.研究生长温度对In0.82Ga0.18As表面形貌、结晶质量和Ⅲ族源铟镓比的影响.扫描电子显微镜观察样品的表面形貌.X射线衍射用于表征材料的组分和结晶质量.结果表明,生长温度强烈地影响In0.82Ga0.18As材料的表面形貌和结晶质量.样品的表面形貌随生长温度的增加由典型的2D生长模式过渡到3D生长模式.X射线衍射曲线半峰全宽为1224、1454、2221、2527 S,分别对应于生长温度为410、430、450、470℃四个样品.此外,Ⅲ族源铟镓比值也随生长温度的增加从0.42增大到4.62.
|
| 关 键 词： | 铟镓砷 金属有机化学气相沉积 生长温度 |
Effect of growth temperature on crystalline quality and surface morphology of In0.82Ga0.18As |
| |
| ZHANG Tie-min,MIAO Guo-qing,JIN Yi-xin,YU Shu-zhen,JIANG Hong,LI Zhi-ming,SONG Hang.Effect of growth temperature on crystalline quality and surface morphology of In0.82Ga0.18As[J].Infrared and Laser Engineering,2007,36(Z1). |
| |
| Authors: | ZHANG Tie-min MIAO Guo-qing JIN Yi-xin YU Shu-zhen JIANG Hong LI Zhi-ming SONG Hang |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
