| ITO/HgInTe肖特基的光电特性 |
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| 引用本文： | 张小雷,孙维国,鲁正雄,张亮,赵岚,孟超,丁嘉欣.ITO/HgInTe肖特基的光电特性[J].红外与激光工程,2008,37(4). |
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| 作者姓名： | 张小雷 孙维国 鲁正雄 张亮 赵岚 孟超 丁嘉欣 |
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| 作者单位： | 1. 西北工业大学材料学院,陕西,西安710072;中国空空导弹研究院,河南,洛阳471009
2. 中国空空导弹研究院,河南,洛阳471009 |
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| 摘 要： | 碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物.在表面运用透明电极可以得到很高的量子效率.为了克服形成肖特基后漏电流过大的影响,运用等离子增强化学气相沉积在碲铟汞表面形成氧化层.运用直流平面磁控溅射技术和热电子蒸发技术分别在单晶HgInTe表面形成了ITO(SnO2 In2O3)/HgInTe和In/HgInTe接触,利用I-V测试仪对其I-V特性进行测量,运用能带结构和异质结理论对测量的,I-V结果进行了描述,测量结果符合热电子发射理论.结果表明:ITO/HgInTe形成具有整流特性的肖特基接触,通过计算得到了ITO/HglnTe的肖特基势垒高度为0.506 eV,理想因子n为3.2,串联电阻Rs为2 600 Ω;In/HgInTe形成欧姆接触.并且发现了在波长1.55 μm处有很好的响应光谱,同时室温下峰值探测率D*λ达到了1011cm·Hz1/2·W-1.
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| 关 键 词： | 肖特基接触 欧姆接触 响应光谱 |
Photoelectron characteristics of ITO/HgInTe Schottky contact |
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| ZHANG Xiao-lei,SUN Wei-guo,LU Zheng-xiong,ZHANG Liang,ZHAO Lan,MENG Chao,DING Jia-xin.Photoelectron characteristics of ITO/HgInTe Schottky contact[J].Infrared and Laser Engineering,2008,37(4). |
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| Authors: | ZHANG Xiao-lei SUN Wei-guo LU Zheng-xiong ZHANG Liang ZHAO Lan MENG Chao DING Jia-xin |
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| Keywords: | HglnTe ITO |
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