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256分辨率电阻阵性能测试及非线性校正方法
引用本文:张凯,马斌,黄勇,孙力,闫杰.256分辨率电阻阵性能测试及非线性校正方法[J].红外与激光工程,2012(11):2921-2926.
作者姓名:张凯  马斌  黄勇  孙力  闫杰
作者单位:西北工业大学航天学院;中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室
基金项目:中国博士后科学基金(20090461314);航空科学基金资助项目
摘    要:256×256像元MOS电阻阵是红外成像制导系统半实物仿真的核心器件,其芯片的性能直接影响仿真性能和实验结果,而其能测试和非线性修正一直是红外成像仿真领域的关键问题和前沿技术。深入分析了电阻阵主要性能指标的测试方法,在测试和实验的基础上,提出了映射配准和失效像素补偿的算法,设计了基于指数曲线的非线性修正模型,完成了修正补偿工作并进行了测试和分析。结果表明非线性修正算法可行,修正后的MOS电阻阵线性控制特性较好,红外图像灰度层次有较大提高,较好地满足了红外成像制导的仿真需求。

关 键 词:MOS电阻阵  非线性修正  映射配准  失效像素

Method of 256-resolution resistor array performance testing and non-linearity correction
Zhang Kai,Ma Bin,Huang Yong,Sun Li,Yan Jie.Method of 256-resolution resistor array performance testing and non-linearity correction[J].Infrared and Laser Engineering,2012(11):2921-2926.
Authors:Zhang Kai  Ma Bin  Huang Yong  Sun Li  Yan Jie
Affiliation:1(1.College of Astronautics,Northwestern Polytechnical University,Xi’an 710072,China;2.Key Laboratory for Infrared Imaging Materials and Devices,Chinese Academy of Sciences,Shanghai Institute of Technological Physics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200083,China)
Abstract:
Keywords:
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