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锑基二类超晶格中波红外焦平面探测器技术
引用本文:巩锋,马文全,谭振,刘铭,王亮,张燕华,邢伟荣.锑基二类超晶格中波红外焦平面探测器技术[J].激光与红外,2014,44(3):258-260.
作者姓名:巩锋  马文全  谭振  刘铭  王亮  张燕华  邢伟荣
作者单位:华北光电技术研究所,北京 100015;中国科学院半导体研究所,北京 100083
摘    要:InAs/GaSbⅡ类超晶格以其特有的量子效率高、暗电流小、能带结构可调等材料性能和器件优势,成为第三代红外探测器技术的最佳选择之一。本文报道了中波InAs/GaSbⅡ类超晶格材料的设计、生长、器件工艺技术,制备出了高性能的128×128中波InAs/GaSbⅡ类超晶格红外焦平面探测器,像元暗电流密度降到1.8×10-7A/cm2,量子效率达36.64%。

关 键 词:InAs/GaSbⅡ类超晶格  ×  像元暗电流密度  量子效率
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