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| Ar 辅助Al 等离子体辐射谱分析 | |
| 引用本文： | 宋一中,贺安之.Ar 辅助Al 等离子体辐射谱分析[J].激光与红外,2004,34(3). |
| 作者姓名： | 宋一中 贺安之 |
| 作者单位： | 1. 南京理工大学理学院,江苏南京210094 ;2. 德州学院物理系,山东德州253000 |
| 摘 要： | Nd∶YAG脉冲激光聚焦到Al 靶表面,烧蚀Al 靶,产生Al 等离子体。用Ar 气作保护气
时,将诱发Ar 气电离,产生丰富的Ar + 离子辐射。文中根据Ar + 离子辐射信息,分析了Ar Ⅱ385. 06nm、Ar Ⅱ386. 85nm、Ar Ⅱ404. 29nm等三条谱线的时间分辨行为,计算了Al 等离子体离子辐射时期的电子温度;估算了特征辐射时期的电子密度。结果发现:在Al 等离子体离子辐射时期,电子温度约1. 2～1. 9eV ,随延迟时间增加,单调递减;在特征辐射时期,电子密度大约是2 ×1018 cm- 3 。 |
| 关 键 词： | 离子辐射 特征辐射 电子温度 电子密度 谱线半高全宽 |
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