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掺铥钼酸钆钡晶体1.9μm腔面膜的研制
引用本文:傅晶晶,陈雨金,黄艺东.掺铥钼酸钆钡晶体1.9μm腔面膜的研制[J].激光与红外,2015,45(12):1450-1454.
作者姓名:傅晶晶  陈雨金  黄艺东
作者单位:中国科学院福建物质结构研究所,福建 福州 350002
摘    要:根据Tm3+∶BaGd2(MoO4)4激光晶体的发光特性,以厚度为1.1 mm的该晶体为基底,选择Ta2O5和SiO2作为高低折射率膜料,通过电子枪蒸镀的物理沉积方式分别在晶体两端面设计并镀制了输入膜系和输出膜系,同时采用霍尔离子源辅助沉积来增强晶体与膜层之间的结合力。镀膜后的晶体输入端面795 nm透过率大于90%,1.9 μm透过率小于0.2%;输出端面795 nm透过率小于10%,1.9 μm透过率等于6.55%。通过采用795 nm波长的半导体激光泵浦镀膜后的晶体,实现了1.9 μm准连续激光输出,结果表明该激光输入输出膜系的镀制满足激光器实验的使用要求。

关 键 词:光学薄膜  激光晶体  电子枪蒸镀  795  nm泵浦  1.9  μm激光
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