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| 激光蒸发淀积的Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te外延生长 | |
| 引用本文： | 刘昭华.激光蒸发淀积的Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te外延生长[J].激光与红外,1984(12). |
| 作者姓名： | 刘昭华 |
| 摘 要： | 用激光蒸发淀积在130℃于(111)A CdTe衬底上生长了n型Hg_0.7Cd_0.3Te外延层。在77K温度下迁移率和载流子浓度分别为4000～7OOOcm~2/Vs和0.7～3×10~16cm~-3。在410℃退火后薄膜可转为P型。已试制注入n~ /P光电二极管。 |
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