| 高质量InSb薄膜的MBE同质和异质外延生长 |
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| 引用本文： | 尚林涛,周翠,沈宝玉,周朋,刘铭,强宇,王彬.高质量InSb薄膜的MBE同质和异质外延生长[J].激光与红外,2018,48(3):352-357. |
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| 作者姓名： | 尚林涛 周翠 沈宝玉 周朋 刘铭 强宇 王彬 |
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| 作者单位： | 华北光电技术研究所,北京 100015 |
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| 摘 要： | InSb是3~5 μm中波红外波段具有重要研究意义的材料。本文以单位内部生产的InSb(100)衬底为基础,通过摸索InSb(100)衬底的脱氧、生长温度和V/III束流比,获得了高质量的InSb同质外延样品,1.5 μm样品的表面粗糙度RMS≈0.3 nm(10 μm×10 μm),FWHM≈7 arcsec；采用相同的生长温度和V/III束流比并采用原子层外延缓冲层的方法在GaAs(100)衬底上异质外延生长本征InSb层,获得了较高质量的异质外延InSb样品,1.5 μm样品的室温电子迁移率高达6.06×104cm2 V-1s-1,3 μm的样品最好的FWHM低至126 arcsec。InSb材料的同质和异质外延优化生长可为高温工作掺Al的InSb器件结构的优化生长提供重要参考依据。
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| 关 键 词： | InSb InSb/GaAs 分子束外延 同质外延 异质外延 |
MBE homogeneity and hetero-epitaxial growth of high quality InSb thin films |
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| SHANG Lin-tao,ZHOU Cui,SHEN BAO-yu,ZHOU Peng,LIU Ming,QIANG Yu,WANG Bin.MBE homogeneity and hetero-epitaxial growth of high quality InSb thin films[J].Laser & Infrared,2018,48(3):352-357. |
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| Authors: | SHANG Lin-tao ZHOU Cui SHEN BAO-yu ZHOU Peng LIU Ming QIANG Yu WANG Bin |
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| Affiliation: | North China Research Institute of Electro-Optics,Beijing 100015,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InSb InSb/GaAs molecular beam epitaxy homo-epitaxy hetero-epitaxy |
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