| 碲镉汞外延用衬底材料的现状和发展 |
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| 引用本文： | 周立庆.碲镉汞外延用衬底材料的现状和发展[J].激光与红外,2005,35(11):808-811. |
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| 作者姓名： | 周立庆 |
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| 作者单位： | 华北光电技术研究所,北京,100015 |
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| 摘 要： | 文章综合论述了碲镉汞外延用的衬底材料的现状,着重介绍了几种衬底材料CdTe、
Al2O3、GaAs、Ge、Si等的性能特点与各自的优缺点,评述了它们在碲镉汞外延中的使用情况,并对其未来的发展方向做出了预测。
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| 关 键 词： | 碲镉汞 外延 衬底 |
| 文章编号： | 1001-5078（2005）11-0808-04 |
| 收稿时间： | 2005-08-26 |
| 修稿时间： | 2005-08-26 |
The Status and Development of Substrates for HgCdTe Epilayer |
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| ZHOU Li-qing.The Status and Development of Substrates for HgCdTe Epilayer[J].Laser & Infrared,2005,35(11):808-811. |
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| Authors: | ZHOU Li-qing |
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| Affiliation: | North China Research Institute of Electro-Optics, Beijing 100015, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HgCdTe Epitaxy Substrate |
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