| InAs/GaSb II类超晶格红外探测技术研究进展 |
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| 引用本文： | 刘武,陈建新.InAs/GaSb II类超晶格红外探测技术研究进展[J].激光与红外,2016,46(6):659-664. |
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| 作者姓名： | 刘武 陈建新 |
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| 作者单位： | 北京系统工程研究所,北京 100101;.中科院上海技术物理研究所,上海 200083 |
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| 摘 要： | InAs/GaSb II类超晶格是一项新型的红外焦平面技术,其响应波长可以覆盖3～30 μm 的光谱范围,具有均匀性好、暗电流低和量子效率较高等优点,是最有希望的碲镉汞的替代技术。1987年，人们发现了其在红外探测领域的应用价值后,II类超晶格材料和器件的研究获得了极大的关注,特别是近年来II类超晶格探测器的发展在国际上极为迅速,美欧等一些技术先进的国家已经获得了大规模、高性能的超晶格焦平面探测器并实现了清晰的实验室红外热成像。本文简要介绍该项新型红外探测技术的基本原理、技术特点、技术关键及其在国内外的发展趋势。
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| 关 键 词： | II类超晶格 (type II superlattice) 红外探测器 焦平面探测器 |
Research progress of InAs/GaSb type II superlattice infrared detection technique |
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| LIU Wu,CHEN Jian-xin.Research progress of InAs/GaSb type II superlattice infrared detection technique[J].Laser & Infrared,2016,46(6):659-664. |
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| Authors: | LIU Wu CHEN Jian-xin |
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| Affiliation: | (Beijing Institute of System Engineering,Beijing 100101,China;Shanghai Institute of Technical Physics,CAS,Shanghai 200083,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | type II superlattice infrared detector focal plane array |
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