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| PLD法制备PbSe薄膜的性能分析 | |
| 引用本文： | 赵跃智,陈长乐,丁世敬,周思凯.PLD法制备PbSe薄膜的性能分析[J].激光与红外,2008,38(3):245-248. |
| 作者姓名： | 赵跃智 陈长乐 丁世敬 周思凯 |
| 作者单位： | 1. 洛阳理工学院材料系,河南,洛阳,471000 2. 西北工业大学理学院,陕西,西安,710072 3. 中国人民解放军61489部队,河南,洛阳,471023 |
| 摘 要： | 通过脉冲激光沉积(PLD)法在Si(111)和SiO2玻璃基片上制备了PbSe薄膜。X射线衍射、X射线能谱、原子力显微镜、傅里叶变换红外光谱仪测试结果表明：所有制备的薄膜都为多晶薄膜，发现薄膜生长温度对薄膜衍射峰有一定影响；PLD法制备的薄膜的成分与靶材的基本一致，实现了同组分沉积；所有薄膜表面比较平滑，表面不平整度小于200nm，结构比较致密；PbSe薄膜对红外光具有敏感的响应特性；在波长为5μm处存在有明显的吸收边，此吸收边对应于直接带隙PbSe材料的禁带宽度；对应于波长小于5μm的红外光，PbSe薄膜存在有明显的强吸收。 |
| 关 键 词： | 脉冲激光沉积 PbSe薄膜 性能 |
| 文章编号： | 1001-5078(2008)03-0245-04 |
| 修稿时间： | 2007年9月14日 |
Properties of PbSe Thin Films by PLD |
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| ZHAO Yue-zhi,CHEN Chang-le,DING Shi-jing,ZHOU Si-kai.Properties of PbSe Thin Films by PLD[J].Laser & Infrared,2008,38(3):245-248. | |
| Authors: | ZHAO Yue-zhi CHEN Chang-le DING Shi-jing ZHOU Si-kai |
| Abstract: | |
| Keywords: | PLD PbSe thin films properties |
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