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| InAs/GaSb Ⅱ类超晶格电学性能研究 | |
| 引用本文： | 邢伟荣,刘铭,周朋,周立庆.InAs/GaSb Ⅱ类超晶格电学性能研究[J].激光与红外,2019,49(6):725-727. |
| 作者姓名： | 邢伟荣 刘铭 周朋 周立庆 |
| 作者单位： | 华北光电技术研究所,北京,100015;华北光电技术研究所,北京,100015;华北光电技术研究所,北京,100015;华北光电技术研究所,北京,100015 |
| 摘 要： | 为了提高InAs/GaSb超晶格探测器性能和工作温度,研究了超晶格吸收层载流子输运性能。利用分子束外延在半绝缘GaAs衬底上生长InAs/GaSb超晶格材料,用霍尔测试表征材料电学性能,研究了不同条件,包括退火、束流比和在超晶格不同材料层的掺杂对超晶格电学性能的影响。 |
| 关 键 词： | INAS/GASB Ⅱ类超晶格 电学性能 霍尔测试 |
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