| 高温工作InAlSb的MBE生长及器件性能研究 |
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| 引用本文： | 尚林涛,温涛,王经纬,刘铭,周朋,邢伟荣,沈宝玉.高温工作InAlSb的MBE生长及器件性能研究[J].激光与红外,2019,49(3):329-335. |
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| 作者姓名： | 尚林涛 温涛 王经纬 刘铭 周朋 邢伟荣 沈宝玉 |
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| 作者单位： | 华北光电技术研究所,北京,100015;华北光电技术研究所,北京,100015;华北光电技术研究所,北京,100015;华北光电技术研究所,北京,100015;华北光电技术研究所,北京,100015;华北光电技术研究所,北京,100015;华北光电技术研究所,北京,100015 |
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| 摘 要： | 接近室温的更高工作温度是第三代红外探测器发展的重要方向。本文论述了用MBE在InSb(100)衬底上外延生长制备P-i-N型三元In1-xAlxSb薄膜合金材料,并通过制备单元器件进行了验证。采用RHEED振荡和X射线双晶衍射对In1-xAlxSb薄膜的Al组分进行了调控和检测。5.3 μm厚薄膜的FWHM≈50 arcsec,Al组分约1.9%。10 μm×10 μm原子力表面粗糙度RMS≈0.6 nm。制备的单元器件获得了预期的理想效果,为下一步面阵焦平面的制备奠定了基础。
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| 关 键 词： | InSb InAlSb 高温工作 MBE 暗电流 |
MBE growth and device performance of high operating temperature InAlSb |
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| SHANG Lin-tao,WEN Tao,WANG Jing-wei,LIU Ming,ZHOU Peng,XING Wei-rong,SHEN Bao-yu.MBE growth and device performance of high operating temperature InAlSb[J].Laser & Infrared,2019,49(3):329-335. |
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| Authors: | SHANG Lin-tao WEN Tao WANG Jing-wei LIU Ming ZHOU Peng XING Wei-rong SHEN Bao-yu |
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| Affiliation: | North China Research Institute of Electro-Optics,Beijing 100015,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InSb InAlSb high temperature operation MBE dark current |
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