| InSb薄膜分子束外延技术研究 |
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| 引用本文： | 刘铭,程鹏,肖钰,折伟林,尚林涛,巩锋,周立庆.InSb薄膜分子束外延技术研究[J].激光与红外,2013,43(11):1256-1259. |
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| 作者姓名： | 刘铭 程鹏 肖钰 折伟林 尚林涛 巩锋 周立庆 |
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| 作者单位： | 华北光电技术研究所，北京 100015 |
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| 摘 要： | InSb材料由于其优异的光电性能，一直是军事领域重要的红外探测器材料。而高温工作是InSb发展的一个重要方向，开发分子束外延InSb材料是实现高温工作的基础。本文采用分子束外延工艺生长获得了高质量的InSb薄膜，通过金相显微镜、X射线双晶衍射仪、原子力显微镜、SEM和EDX等检测手段对InSb外延膜进行表面缺陷、晶体质量表征和分析，并采用标准的InSb器件工艺制备128×128焦平面探测器芯片进行材料的验证，结果表明该材料性能可以满足制备高性能器件的要求。
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| 关 键 词： | InSb外延膜 分子束外延 晶体质量 128×128 |
Research of InSb film growth by molecular beam epitaxy |
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| LIU Ming,CHENG Peng,XIAO Yu,SHE Wei-lin,SHANG Lin-tao,GONG Feng,ZHOU li-qing.Research of InSb film growth by molecular beam epitaxy[J].Laser & Infrared,2013,43(11):1256-1259. |
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| Authors: | LIU Ming CHENG Peng XIAO Yu SHE Wei-lin SHANG Lin-tao GONG Feng ZHOU li-qing |
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