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| (Al) Ga InP材料的MOCVD生长研究 | |
| 引用本文： | 俞 波,李建军,盖红星,牛南辉,邢艳辉,邓 军,韩 军.(Al) Ga InP材料的MOCVD生长研究[J].激光与红外,2005,35(3). |
| 作者姓名： | 俞 波 李建军 盖红星 牛南辉 邢艳辉 邓 军 韩 军 |
| 作者单位： | 北京工业大学电控学院光电子技术实验室. 北京工业大学电控学院光电子技术实验室 北京100022 |
| 摘 要： | 对可见光半导体光电子材料Ga0.5In0.5P、(AlXGa1-X)0.5In0.5P的MOCVD生长进行了研究。使用X射线双晶衍射和PL谱测量结合的手段,研究了生长速度和生长温度对材料质量的影响。根据测试结果优化了(Al)GaInP材料的生长速度和生长温度。为研制出高性能的650nm半导体激光器打下良好的材料基础。 |
| 关 键 词： | 金属有机化合物汽相淀积. AlGaInP. GaInP. |
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