| GaSb基的InAs/GaSbⅡ类超晶格背景载流子浓度的测量 |
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| 引用本文： | 徐志成,陈建新,何力.GaSb基的InAs/GaSbⅡ类超晶格背景载流子浓度的测量[J].激光与红外,2012,42(1):45-50. |
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| 作者姓名： | 徐志成 陈建新 何力 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所，中国科学院红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083 |
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| 摘 要： | 高质量的InAs/GaSbⅡ类超晶格(SLs)材料生长在晶格匹配的GaSb衬底上,由于GaSb衬底具有良好的导电性,传统的霍尔测量难以直接得到外延超晶格材料的载流子浓度等电学参数,所以,如何准确地获得InAs/GaSb超晶格外延材料中的载流子浓度成为了研究人员关注的焦点之一。主要介绍了InAs/GaSbⅡ类超晶格背景载流子浓度测量的四种典型的方法:低温霍尔技术;变磁场霍尔技术以及迁移率谱拟合;衬底去除技术;电容-电压技术。并给出了各种方法的基本原理,评价了每种方法的优缺点。
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| 关 键 词： | InAs/GaSbⅡ类超晶格 背景载流子浓度 GaSb衬底 霍尔测量 迁移率谱 去衬底 电容-电压 |
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