| Si基碲镉汞分子束外延工艺优化研究 |
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| 引用本文： | 王经纬,巩锋,刘铭,强宇,常米,周立庆.Si基碲镉汞分子束外延工艺优化研究[J].激光与红外,2012,42(10):1161-1164. |
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| 作者姓名： | 王经纬 巩锋 刘铭 强宇 常米 周立庆 |
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| 作者单位： | 华北光电技术研究所,北京,100015 |
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| 摘 要： | 报道了Si基碲镉汞(MCT)分子束外延(MBE)的最新研究进展,通过使用反射式高能电子衍射(RHEED)、高温计的在线测量建立和优化了3 in Si基碲镉汞生长温度曲线;通过二次缓冲层的生长进一步降低了界面能,获得的Si基HgCdTe材料在8μm的厚度下半峰宽达到90.72 arcsec,原生片位错密度(EPD)小于1×107 cm-2;采用此材料成功制备出了高性能的中波Si基1280×1024碲镉汞探测器。
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| 关 键 词： | 硅基碲镉汞 分子束外延 工艺优化 RHEED CdTe二次缓冲层 |
Optimized research on molecular beam epitaxy growth HgCdTe film on Si composite substrate |
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| WANG Jing-wei,GONG Feng,LIU Ming,QIANG Yu,CHANG Mi,ZHOU Li-qing.Optimized research on molecular beam epitaxy growth HgCdTe film on Si composite substrate[J].Laser & Infrared,2012,42(10):1161-1164. |
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| Authors: | WANG Jing-wei GONG Feng LIU Ming QIANG Yu CHANG Mi ZHOU Li-qing |
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| Affiliation: | North China Research Institute of Electro-optics,Beijing 100015,China |
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