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一种差分输入HgCdTe红外探测器专用电流读出电路的研制
引用本文:袁红辉,陈永平,陈世军,刘强,徐星.一种差分输入HgCdTe红外探测器专用电流读出电路的研制[J].激光与红外,2009,39(10):1100-1103.
作者姓名:袁红辉  陈永平  陈世军  刘强  徐星
作者单位:中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083
基金项目:上海市科委国际科技合作项目 
摘    要:利用差分输入的折叠共源共栅结构实现了一种在77 K工作的高性能低噪声HgCdTe红外探测器专用的电流读出电路.文中分析了它的噪声特性,并提出了减少噪声的措施.此电路用1.2 μm的标准CMOS工艺制造完成.经过测试,这种电流读出电路在低温77 K下能正常工作,反馈电阻大小为41 MΩ,等效输入噪声电流仅0.03 pA/Hz1/2,连接HgCdTe红外探测器后能正常工作.

关 键 词:低温  低噪声  电流读出电路

Fabrication of a difference input current readout circuit for HgCdTe IR detectors
YUAN Hong-hui,CHEN Yong-ping,CHEN Shi-jun,LIU Qiang,XU Xing.Fabrication of a difference input current readout circuit for HgCdTe IR detectors[J].Laser & Infrared,2009,39(10):1100-1103.
Authors:YUAN Hong-hui  CHEN Yong-ping  CHEN Shi-jun  LIU Qiang  XU Xing
Affiliation:Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200083,China
Abstract:
Keywords:CMOS
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