| 红外探测器倒装互连工艺中的铟柱高度研究北大核心CSCD |
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| 引用本文： | 刘森,黄婷,赵璨,张磊.红外探测器倒装互连工艺中的铟柱高度研究北大核心CSCD[J].激光与红外,2023,53(2):271-275. |
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| 作者姓名： | 刘森 黄婷 赵璨 张磊 |
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| 作者单位： | 华北光电技术研究所,北京 100015 |
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| 摘 要： | 针对制冷型红外焦平面探测器倒装互连工艺中的铟柱高度展开了调研,结果显示目前行业内关于该工艺中的铟柱高度设计的离散性较大,铟柱高度范围为5~24μm,差值达到了19μm。本文构建了包含探测器芯片、铟柱、填充胶、钝化层和UBM的像元级有限元仿真模型,并根据不同的铟柱直径和高度开展了60组仿真计算,根据计算结果绘制了p-n结区最大应力值的变化曲线,并分析了应力变化规律。
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| 关 键 词： | IRFPA 铟柱 倒装互连 高度 |
Research on indium bumps height in the flipchip package of IRFPA |
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| LIU Sen,HUANG Ting,ZHAO Can,ZHANG Lei.Research on indium bumps height in the flipchip package of IRFPA[J].Laser & Infrared,2023,53(2):271-275. |
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| Authors: | LIU Sen HUANG Ting ZHAO Can ZHANG Lei |
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| Affiliation: | North China Research Institute of Electro Optics,Beijing 100015,China |
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| Abstract: | |
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