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IC中100纳米以下栅层叠技术
作者姓名:赵智彪
作者单位:应用材料(中国)公司
摘    要:随着半导体器件特征尺寸的不断微缩(Scaling),大量的新材料、新技术、新工艺以及新结构在集成电路的设计和制造中不断涌现。本文对近年来在100纳米以下半导体逻辑电路中普遍使用的栅层叠技术(gate stack)进行简要介绍,包括栅氧化层、氧化层的掺杂、掺杂元素的激活以及栅电极生长的集成工艺技术。

关 键 词:技术  层叠  纳米  半导体器件  IC  栅氧化层  集成工艺  掺杂元素
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