| 掩膜级测量为闪存设计预测成像质量 |
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| 引用本文： | E. van Setten,;O. Wismans,;K. Grim,;J. Finders.,;M. Dusa,;R. Birkner,;R. Richter,;T. Scher ü bl,.掩膜级测量为闪存设计预测成像质量[J].集成电路应用,2008(11):26-29,32. |
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| 作者姓名： | E. van Setten ;O. Wismans ;K. Grim ;J. Finders. ;M. Dusa ;R. Birkner ;R. Richter ;T. Scher ü bl |
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| 作者单位： | [1]ASML Netherlands BV,Veldhoven, Netherlands.; [2]ASML TDC, Santa Clara, Calif.; [3]Carl Zeiss SMS GmbH, Jena, Germany. |
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| 摘 要： | 闪存不断推动着器件尺寸等比例缩小的进程,高数值孔径浸没式光刻使得45nm及以下技术节点成为可能。一些掩膜参数对于成像性能有很重要的影响,并且曝光前掩膜的空间成像可以用于定义成像质量。
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| 关 键 词： | 成像质量 闪存 掩膜 预测 设计 测量 高数值孔径 器件尺寸 |
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