| 直流和交流溅射沟道材料对铟镓锌氧薄膜晶体管性能的影响 |
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| 引用本文： | 邓伟,肖祥,贺鑫,张盛东.直流和交流溅射沟道材料对铟镓锌氧薄膜晶体管性能的影响[J].光电子技术,2014,34(4). |
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| 作者姓名： | 邓伟 肖祥 贺鑫 张盛东 |
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| 作者单位： | 北京大学信息科学技术学院,北京,100871 |
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| 摘 要： | 研究了在TFT制备过程中,直流溅射和交流溅射生长铟镓锌氧薄膜对器件的转移特性和栅偏压应力特性的影响。交流溅射生长的IGZO制备的器件具有较低的阈值电压和较好的亚阈特性,分别为0.937 V和0.34 V/dec;而直流溅射得到的阈值电压和亚阈值摆幅则分别是:1.78V和0.50 V/dec。对于稳定性,在30 V的栅极应力下,直流溅射得到的器件的阈值电压漂移则相对小一些。本文通过分析直流和交流溅射的过程中薄膜的沉积情况,阐述了上述现象产生的原因。
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| 关 键 词： | 铟镓锌氧薄膜晶体管 直流溅射 交流溅射 应力特性 |
Influence of DC and RF Sputter-deposited Channel Layer on the Characteristics of Amorphous Indium-gallium-zinc-oxide Thin Film Transistors |
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| DENG Wei,XIAO Xiang,HE Xin,ZHANG Shengdong.Influence of DC and RF Sputter-deposited Channel Layer on the Characteristics of Amorphous Indium-gallium-zinc-oxide Thin Film Transistors[J].Optoelectronic Technology,2014,34(4). |
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| Authors: | DENG Wei XIAO Xiang HE Xin ZHANG Shengdong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | IGZO TFT RF sputtering DC sputtering stability |
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