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透明导电IMO薄膜的载流子浓度测量
引用本文:孟扬,沈杰,蒋益明,刘键,林剑,杨锡良,陈华仙,章壮健.透明导电IMO薄膜的载流子浓度测量[J].光电子技术,2001,21(4):245-250.
作者姓名:孟扬  沈杰  蒋益明  刘键  林剑  杨锡良  陈华仙  章壮健
作者单位:复旦大学材料科学系,
摘    要:用反应蒸发法制备的掺钼氧化铟 ( In2 O3:Mo,IMO)薄膜在可见光区域的平均透射率 (含 1 .2 mm厚玻璃基底 )超过 80 % ,电阻率最低达 1 .7× 1 0 - 4Ω·cm。采用等离子振荡波长法、van-der-Pauw法和光谱拟合法等三种方法对IMO薄膜和 ITO薄膜的载流子浓度进行了测量和比较 ,结果表明 IMO薄膜的载流子浓度还不到 ITO薄膜的三分之一。因此 ,IMO薄膜对可见光的吸收小 ,有很大的发展空间可以通过提高载流子浓度而进一步提高电导率 ,对近红外线也有较高的透射率 ,有利于拓展透明导电薄膜的应用领域

关 键 词:透明导电薄膜  掺钼氧化铟  载流子浓度
文章编号:1005-488(2001)04-0245-06
修稿时间:2001年7月3日

Measurement of Carrier Concentration of Transparent Conductive IMO Films
Meng Yang,Shen Jie,Jiang Yiming,Liu Jian,Lin Jian,Yang Xiliang,Chen Huaxian,Zhang Zhuangjian.Measurement of Carrier Concentration of Transparent Conductive IMO Films[J].Optoelectronic Technology,2001,21(4):245-250.
Authors:Meng Yang  Shen Jie  Jiang Yiming  Liu Jian  Lin Jian  Yang Xiliang  Chen Huaxian  Zhang Zhuangjian
Abstract:
Keywords:transparent conductive films  molybdenum  doped indium oxide  reactive evaporation  carrier concentration
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