| X波段300 W GaN功率器件技术 |
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| 引用本文： | 银 军,余若祺,刘 泽,吴家锋,段 雪.X波段300 W GaN功率器件技术[J].太赫兹科学与电子信息学报,2020,18(1):89-94. |
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| 作者姓名： | 银 军 余若祺 刘 泽 吴家锋 段 雪 |
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| 作者单位： | The 13th Research Institute，China Electronics Technology Group Corporation，Shijiazhuang Hebei 050051，China,The 13th Research Institute，China Electronics Technology Group Corporation，Shijiazhuang Hebei 050051，China,The 13th Research Institute，China Electronics Technology Group Corporation，Shijiazhuang Hebei 050051，China,The 13th Research Institute，China Electronics Technology Group Corporation，Shijiazhuang Hebei 050051，China and The 13th Research Institute，China Electronics Technology Group Corporation，Shijiazhuang Hebei 050051，China |
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| 摘 要： | 介绍一种基于国产氮化镓(GaN)外延材料的X波段300 W GaN高效率内匹配器件技术。该技术采用大栅宽芯片的大信号有源模型和封装管壳、键合引线、电容等无源模型，开展X波段300 W内匹配功率器件的设计。采用四胞匹配合成电路，使用L-C网络提升器件阻抗，通过λ/4阻抗变换网络进行阻抗变换和功率合成，实现阻抗50 Ω匹配，功率分配器和匹配电容使用高Q值陶瓷基片实现。仿真实验证明，该器件在9.5~10.5 GHz频率内输出功率大于300 W，功率增益大于9 dB，功率附加效率大于38.9%。同时研究了器件输出功率和功率附加效率随工作电压、脉冲宽度、占空比变化情况。
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| 关 键 词： | 氮化镓 内匹配 X波段 功率 高效率 |
| 收稿时间： | 2018/12/3 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2018/12/24 0:00:00 |
X-band 300 W GaN inter-matching Field Effect Transistor |
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| YIN Jun,YU Ruoqi,LIU Ze,WU Jiafeng and DUAN Xue.X-band 300 W GaN inter-matching Field Effect Transistor[J].Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology,2020,18(1):89-94. |
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| Authors: | YIN Jun YU Ruoqi LIU Ze WU Jiafeng and DUAN Xue |
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