| C波段紧凑型25 W GaN宽带功率放大器 |
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| 引用本文： | 刘 帅,蔡道民,武继斌.C波段紧凑型25 W GaN宽带功率放大器[J].太赫兹科学与电子信息学报,2019,17(2):248-251. |
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| 作者姓名： | 刘 帅 蔡道民 武继斌 |
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| 作者单位： | 13th Institute of China Electronic Technology Group Corporation，Shijiazhuang Hebei 050051，China,13th Institute of China Electronic Technology Group Corporation，Shijiazhuang Hebei 050051，China and 13th Institute of China Electronic Technology Group Corporation，Shijiazhuang Hebei 050051，China |
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| 摘 要： | 基于0.25 μm GaN工艺和以SiC为衬底的高电子迁移率晶体管(HEMT)技术，采用电抗匹配、优化电路的静态直流工作点、三级放大结构栅宽比1:3.6:16等措施，保证电路的增益和功率指标，实现了C波段高功率、高增益和高效率的宽带单片微波集成电路(MMIC)放大器。芯片测试结果表明，在4~8 GHz频率范围内，漏极电压28 V，连续波条件下，放大器的小信号增益大于30 dB，大信号增益大于23 dB，饱和输出功率大于44 dBm，功率附加效率为38%~45%。该单片放大器芯片尺寸为3.6 mm×4.0 mm。
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| 关 键 词： | GaN高电子迁移率晶体管 高功率放大器 宽带 功率附加效率 |
| 收稿时间： | 2018/7/2 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2018/9/10 0:00:00 |
C band compact 25 W GaN power amplifier |
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| LIU Shuai,CAI Daomin and WU Jibin.C band compact 25 W GaN power amplifier[J].Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology,2019,17(2):248-251. |
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| Authors: | LIU Shuai CAI Daomin and WU Jibin |
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| Abstract: | |
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