| 雪崩模式下的体结构GaAs光导开关 |
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| 引用本文： | 吴朝阳,范昭奇,陆 巍,杨周炳,罗剑波.雪崩模式下的体结构GaAs光导开关[J].太赫兹科学与电子信息学报,2016,14(3):340-343. |
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| 作者姓名： | 吴朝阳 范昭奇 陆 巍 杨周炳 罗剑波 |
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| 作者单位： | Science and Technology on High Power Microwave Laboratory，Institute of Applied Electronics，China Academy of Engineering Physics，Mianyang Sichuan 621999，China,Science and Technology on High Power Microwave Laboratory，Institute of Applied Electronics，China Academy of Engineering Physics，Mianyang Sichuan 621999，China,Science and Technology on High Power Microwave Laboratory，Institute of Applied Electronics，China Academy of Engineering Physics，Mianyang Sichuan 621999，China,Science and Technology on High Power Microwave Laboratory，Institute of Applied Electronics，China Academy of Engineering Physics，Mianyang Sichuan 621999，China and Institute of Electronic Engineering，China Academy of Engineering Physics，Mianyang Sichuan 621999，China |
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| 基金项目： | 高功率微波技术重点实验室资助项目(2014HPM-01) |
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| 摘 要： | 利用能量较低的脉冲激光二极管，在较高场强下触发GaAs光导开关，使其工作于雪崩模式，从而产生纳秒上升前沿的快脉冲电压。GaAs光导开关采用垂直体结构设计，芯片厚度为2 mm，电极形状分别为圆环和圆面，触发光脉冲从圆环穿过。快脉冲产生由同轴Blumlein脉冲形成线完成。对基于GaAs光导开关的同轴Blumlein脉冲线进行了模拟仿真和实验，当充电电压超过8 kV(40 kV/cm)后，开关开始了雪崩工作模式。当充电电压约为15 kV(75 kV/cm)时，在50 Ω负载上获得了约11 kV的脉冲电压，实验波形与仿真波形一致。对开关抖动进行了测试，其测试结果显示开关充电电压对抖动影响很大，随着开关偏压增加，开关抖动减小，开关获得了最小抖动约700 ps。
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| 关 键 词： | 砷化镓 光导开关 雪崩 半导体二极管 |
| 收稿时间： | 2015/4/10 0:00:00 |
| 修稿时间： | 8/6/2015 12:00:00 AM |
GaAs bulk PCSS under avalanche mode |
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| WU Zhaoyang,FAN Zhaoqi,LU Wei,YANG Zhoubing and LUO Jianbo.GaAs bulk PCSS under avalanche mode[J].Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology,2016,14(3):340-343. |
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| Authors: | WU Zhaoyang FAN Zhaoqi LU Wei YANG Zhoubing and LUO Jianbo |
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