| N_2对碲镉汞干法刻蚀诱导损伤的影响 |
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| 引用本文： | 龚晓丹,韩福忠.N_2对碲镉汞干法刻蚀诱导损伤的影响[J].红外技术,2015(4):315-318,322. |
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| 作者姓名： | 龚晓丹 韩福忠 |
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| 作者单位： | 昆明物理研究所,云南昆明,650223 |
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| 摘 要： | 报道了碲镉汞(HgCdTe)干法刻蚀诱导损伤的相关研究。由于干法刻蚀过程中,刻蚀剂主要采用CH_4/H_2,其裂解产生的H容易扩散到材料内部引起材料的电学性质发生改变,从而产生刻蚀诱导损伤。通过在刻蚀剂中引入一定量的N_2,可以抑制H对材料电学性质的改变作用。
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| 关 键 词： | 碲镉汞 干法刻蚀 诱导损伤 N_2 |
The Effect of N2 for Dry Etching Induced Damage of HgCdTe |
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| GONG Xiao-dan
,
HAN Fu-zhong.The Effect of N2 for Dry Etching Induced Damage of HgCdTe[J].Infrared Technology,2015(4):315-318,322. |
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| Authors: | GONG Xiao-dan HAN Fu-zhong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HgCdTe dry etching induced damage N2 |
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