|
|||||
|
|
| InGaAs/InP红外雪崩光电探测器的研究现状与进展 | |
| 作者单位： | ;1.中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 |
| 摘 要： | 近年来,量子卫星通信、主动成像等先进技术的应用取得了较大的进展,InGaAs/InP雪崩光电探测器作为信息接收端的核心器件起到了至关重要的作用。本文系统介绍了InGaAs/InP雪崩光电探测器的工作原理,分析了器件结构设计对暗电流特性的影响,对盖格模式下多种单光子探测电路进行了综述,同时对新型金属-绝缘体-金属结构设计的研究进展进行了介绍和展望。 |
| 关 键 词： | InGaAs/InP红外雪崩光电探测器 暗电流机制 单光子探测 表面等离共振效应 |
Recent Progress in InGaAs/InP Infrared Avalanche Photodetectors |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |