| nBn型InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器光电特性研究 |
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| 引用本文： | 胡锐,邓功荣,张卫锋,何雯谨,冯江敏,袁俊,莫镜辉,史衍丽.nBn型InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器光电特性研究[J].红外技术,2014(11):863-867. |
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| 作者姓名： | 胡锐 邓功荣 张卫锋 何雯谨 冯江敏 袁俊 莫镜辉 史衍丽 |
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| 作者单位： | 昆明物理研究所,云南 昆明,650223 |
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| 基金项目： | 国家自然基金重点项目，编号U1037602。 |
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| 摘 要： | 设计了nBn结构的InAs/GaSb II类超晶格红外探测器,从理论和实验两方面对nBn器件的暗电流特性进行了研究,研究结果表明:理论计算的暗电流和实际测试结果趋势一致。另外,研制了p-i-n结构器件并与nBn器件进行了比较,测试结果显示:在77 K温度下,nBn器件的暗电流要比p-i-n器件暗电流小2个量级。温度升高到150 K时,nBn器件暗电流变大2个量级,而p-i-n器件暗电流变大4个量级;nBn器件峰值探测率下降到1/5,p-i-n器件峰值探测率下降2个量级。可见nBn器件适合高温工作,适合高性能红外焦平面探测器的研制。
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| 关 键 词： | nBn 超晶格 InAs/GaSb 暗电流 Shockley-Read-Hall |
Electrical and Optical Properties of nBn Based on Type-II InAs-GaSb Strained Layer Superlattice Infrared Detectors |
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| HU Rui,DENG Gong-rong,ZHANG Wei-feng,HE Wen-jin,FENG Jiang-min,YUAN Jun,MO Jing-hui,SHI Yan-li.Electrical and Optical Properties of nBn Based on Type-II InAs-GaSb Strained Layer Superlattice Infrared Detectors[J].Infrared Technology,2014(11):863-867. |
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| Authors: | HU Rui DENG Gong-rong ZHANG Wei-feng HE Wen-jin FENG Jiang-min YUAN Jun MO Jing-hui SHI Yan-li |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nBn superlattice InAs/GaSb dark current Shockley-Read-Hall |
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