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| InGaAs固体微光器件研究进展 | |
| 引用本文： | 史衍丽,胡锐,张卫锋,冯云祥,邓功荣,褚祝军,李燕红,郭骞,陆强.InGaAs固体微光器件研究进展[J].红外技术,2014,36(2):81-88. |
| 作者姓名： | 史衍丽 胡锐 张卫锋 冯云祥 邓功荣 褚祝军 李燕红 郭骞 陆强 |
| 作者单位： | 史衍丽:北方夜视科技集团, 云南 昆明 650023 胡锐:北方夜视科技集团, 云南 昆明 650023 张卫锋:北方夜视科技集团, 云南 昆明 650023 冯云祥:北方夜视科技集团, 云南 昆明 650023 邓功荣:北方夜视科技集团, 云南 昆明 650023 褚祝军:北方夜视科技集团, 云南 昆明 650023 李燕红:北方夜视科技集团, 云南 昆明 650023 郭骞:北方夜视科技集团, 云南 昆明 650023 陆强:北方夜视科技集团, 云南 昆明 650023 |
| 基金项目： | 国家自然基金重点项目, 编号 U1037602。 |
| 摘 要： | InGaAs器件具有光谱响应宽、量子效率高、响应速度快、数字化读出、高温工作、可靠性好以及寿命长等优点,符合新一代微光器件的发展需求,在国际上成为固体微光器件的一种新选择,获得了重要的发展和应用。文章就InGaAs固体微光器件材料属性、器件性能以及成像特点等几方面进行了详细分析,介绍了当前InGaAs器件的发展趋势,以及研制320×256 InGaAs阵列的最新进展。研究结果表明InGaAs材料生长及器件工艺具有较好的可控性和稳定性,为实现高性能、实用化的InGaAs固体微光器件提供了技术支撑。 |
| 关 键 词： | InGaAs 固体微光器件 量子效率 高温器件 雪崩二极管 |
| 收稿时间： | 2014/2/10 |
Progress of InGaAs Solid-State Low-Light Devices |
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| Abstract: | |
| Keywords: | InGaAs solid-state low-light devices quantum efficiency high temperature operation avalanche diode |