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| 8～12μm超晶格量子阱红外探测材料与器件的新进展 | |
| 引用本文： | 陈世达.8～12μm超晶格量子阱红外探测材料与器件的新进展[J].红外技术,1993(2):1-5. |
| 作者姓名： | 陈世达 |
| 作者单位： | 华北光电研究所 北京 |
| 摘 要： | 超晶格材料与量子阱器件的发展提供了一条实现8～12μm红外探测的新途径，作者曾分绍过GaAs-GaAlAs n型光导多量子阱红外探测器、InAsSb和InAs-Ga1-xInxSb应变超晶格材料和器件及HgTe-CdTe超晶格材料，本文将补充GaAs-GaAlAs p型光导多量子阱和光伏(或称Kastalsky)型红外探测器；以GaAs或InGaAs为基极的红外热电子晶体管(IHET)；Ga1-xAlxSbAlGb超晶格材料和GexSi1-x-Si量子阱材料与内光电子发射红外探测器。这些都是目前研制长波红外材料与器件的热点。 |
| 关 键 词： | 超晶格红外探测材料 量子阱器件 长波红外探测器 红外热电子晶体管 |
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