| 铟凸点对倒装互连影响的研究 |
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| 引用本文： | 杨超伟,闫常善,王琼芳,李京辉,韩福忠,封远庆,杨毕春,左大凡,赵丽,俞见云.铟凸点对倒装互连影响的研究[J].红外技术,2016(4):310-314. |
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| 作者姓名： | 杨超伟 闫常善 王琼芳 李京辉 韩福忠 封远庆 杨毕春 左大凡 赵丽 俞见云 |
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| 作者单位： | 昆明物理研究所;中国人民解放军驻298厂军代室 |
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| 摘 要： | 制作了2种形式的铟凸点:即直接蒸发沉积的铟柱和将铟柱回流得到的铟球。分别讨论了铟柱和铟球对倒装互连的影响,着重讨论了铟球和铟柱分别和芯片倒装互连后的剪切强度,结果发现在互连未回流的状态下铟球的剪切强度是铟柱的1.5倍,回流后铟球的剪切强度是铟柱的2.8倍。此外,分析讨论了长时间放置在空气中的铟球对倒装互连的影响,结果发现长时间放置在空气中的铟球和芯片互连后,器件的电学与机械连通性能会受到很大的影响。
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| 关 键 词： | 铟凸点 铟柱 铟球 倒装互连 |
Dissecting the Influence of Indium Bumps for Flip-chip |
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| YANG Chaowei;YAN Changshan;WANG Qiongfang;LI Jinghui;HAN Fuzhong;FENG Yuanqing;YANG Bichun;ZUO Dafan;ZHAO Li;YU Jianyun.Dissecting the Influence of Indium Bumps for Flip-chip[J].Infrared Technology,2016(4):310-314. |
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| Authors: | YANG Chaowei;YAN Changshan;WANG Qiongfang;LI Jinghui;HAN Fuzhong;FENG Yuanqing;YANG Bichun;ZUO Dafan;ZHAO Li;YU Jianyun |
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| Affiliation: | YANG Chaowei;YAN Changshan;WANG Qiongfang;LI Jinghui;HAN Fuzhong;FENG Yuanqing;YANG Bichun;ZUO Dafan;ZHAO Li;YU Jianyun;Kunming Institute of Physics;China Military Representative Office of People’s Liberation Army Stationed in 298 Factory; |
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