| InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外焦平面探测器 |
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| 引用本文： | 李云涛,张舟,丁颜颜,杨煜,雷华伟,汪良衡,谭必松,张传杰,刘斌,周文洪.InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外焦平面探测器[J].红外技术,2019,41(8):731-734. |
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| 作者姓名： | 李云涛 张舟 丁颜颜 杨煜 雷华伟 汪良衡 谭必松 张传杰 刘斌 周文洪 |
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| 作者单位： | 武汉高芯科技有限公司,湖北武汉,430205;武汉高芯科技有限公司,湖北武汉,430205;武汉高芯科技有限公司,湖北武汉,430205;武汉高芯科技有限公司,湖北武汉,430205;武汉高芯科技有限公司,湖北武汉,430205;武汉高芯科技有限公司,湖北武汉,430205;武汉高芯科技有限公司,湖北武汉,430205;武汉高芯科技有限公司,湖北武汉,430205;武汉高芯科技有限公司,湖北武汉,430205;武汉高芯科技有限公司,湖北武汉,430205 |
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| 摘 要： | 武汉高芯科技有限公司从2014年开始制备基于InAs/GaSbⅡ类超晶格的长波红外探测器。在本文中,报道了像元规模为640×512,像元间距为15μm的长波红外焦平面探测器。在77 K时,器件的50%截止波长为10.5μm,峰值量子效率为38.6%,当F数为2、积分时间为0.4 ms时,测得器件的噪声等效温差为26.2 mK,且有效像元率达99.71%。本文通过分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)技术与成熟的Ⅲ-Ⅴ族芯片技术,成功地验证了在大于10μm的长波波段,用超晶格代替HgCdTe实现国产化并大规模量产的可行性。
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| 关 键 词： | INAS/GASB Ⅱ类超晶格 640×512 长波红外 焦平面探测器 |
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