| 脉冲恢复技术测量有限宽基区HgCdTe光电二极管少子寿命 |
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| 引用本文： | 崔昊杨,许永鹏,杨俊杰,曾俊冬,唐忠.脉冲恢复技术测量有限宽基区HgCdTe光电二极管少子寿命[J].红外与毫米波学报,2014,33(2):117-121. |
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| 作者姓名： | 崔昊杨 许永鹏 杨俊杰 曾俊冬 唐忠 |
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| 作者单位： | 上海电力学院，电子与信息工程学院,上海电力学院，电子与信息工程学院,上海电力学院，电子与信息工程学院,上海电力学院，电子与信息工程学院,上海电力学院，电子与信息工程学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（面上项目，重点项目，重大项目） |
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| 摘 要： | 利用脉冲恢复技术测量了有限宽基区n+-on-p光电二极管中的少子寿命.实验发现,反向恢复时间同正、反向电流的大小有关.从恢复时间ts与IF/IR函数关系提取的少子寿命随着基区厚度与少子扩散长度比值降低而明显增大.在77 K时,采用传统方法脉冲回复技术提取的少子寿命为28 ns,而当考虑短基区效应时,所提取的少子寿命为51 ns.这表明HgCdTe光电二极管的基区厚度与少子扩散长度比值是采用脉冲恢复技术测量少子寿命技术中的一个重要参数.只有当基区厚度大于三倍少子扩散长度时,传统方法中无限基区厚度的假设条件才成立.
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| 关 键 词： | 碲镉汞 少数载流子寿命 脉冲恢复技术 扩散长度 |
| 收稿时间： | 4/9/2013 12:00:00 AM |
| 修稿时间： | 9/3/2013 12:00:00 AM |
Determination of minority carrier lifetime in a finite base HgCdTe photodiode：Pulse recovery technique |
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| CUI Hao-Yang,XU Yong-Peng,YANG Jun-Jie,ZENG Jun-Dong and TANG Zhong.Determination of minority carrier lifetime in a finite base HgCdTe photodiode：Pulse recovery technique[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2014,33(2):117-121. |
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| Authors: | CUI Hao-Yang XU Yong-Peng YANG Jun-Jie ZENG Jun-Dong and TANG Zhong |
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| Affiliation: | School of Electronic and information engineering,Shanghai University of Electric Power,School of Electronic and information engineering,Shanghai University of Electric Power,School of electronic and information engineering, Shanghai University of Electric Power,School of Electronic and information engineering,Shanghai University of Electric Power,School of Electronic and information engineering,Shanghai University of Electric Power |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HgCdTe minority carrier lifetime pulse recovery technique diffusion length |
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