| InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料台面腐蚀 |
| |
| 引用本文： | 张利学,孙维国,吕衍秋,张向锋,姚官生,张小雷,司俊杰.InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料台面腐蚀[J].红外与毫米波学报,2014,33(5):472-476. |
| |
| 作者姓名： | 张利学 孙维国 吕衍秋 张向锋 姚官生 张小雷 司俊杰 |
| |
| 作者单位： | 西北工业大学材料学院;红外探测器技术航空科技重点实验室,红外探测器技术航空科技重点实验室,红外探测器技术航空科技重点实验室,红外探测器技术航空科技重点实验室,红外探测器技术航空科技重点实验室,红外探测器技术航空科技重点实验室,红外探测器技术航空科技重点实验室 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(61205056)Foundation items: Supported by National Natural Science Foundation of China (61205056) |
| |
| 摘 要： | 研究了InAs/GaSbⅡ类超晶格的几种台面腐蚀方法.实验所用的InAs/GaSbⅡ类超晶格材料是使用分子束外延设备生长的,材料采用PIN结构,单层结构为8 ML InAs/8 ML GaSb.腐蚀方法分为干法刻蚀和湿法腐蚀两大类.干法刻蚀使用不同的刻蚀气氛,包括甲基、氯基和氩气;湿法化学腐蚀采用了磷酸系和酒石酸酸系的腐蚀液.腐蚀后的材料台阶高度是使用α台阶仪测量,表面形貌通过晶相显微镜和扫描电镜表征.经过对比研究认为,干法刻蚀中甲基气氛刻蚀后的台面平整,侧壁光滑,侧壁角度为约80度,台阶深度易控制,适合深台阶材料制作.湿法腐蚀中磷酸系腐蚀效果好,台面平整,下切小,表面无残留,适用于焦平面红外器件制作工艺.
|
| 关 键 词： | 半导体材料 InAs/GaSbⅡ类超晶格 MBE ICP干法刻蚀 湿法腐蚀 |
| 收稿时间： | 2013/11/20 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2014/1/16 0:00:00 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《红外与毫米波学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《红外与毫米波学报》下载全文 |
|
