| 高功率GaSb基2.6微米InGaAsSb/AlGaAsSb I型量子阱室温工作激光器 |
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| 引用本文： | 柴小力,张宇,廖永平,黄书山,杨成奥,孙姚耀,徐应强,牛智川.高功率GaSb基2.6微米InGaAsSb/AlGaAsSb I型量子阱室温工作激光器[J].红外与毫米波学报,2017,36(3):257-260. |
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| 作者姓名： | 柴小力 张宇 廖永平 黄书山 杨成奥 孙姚耀 徐应强 牛智川 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划（973计划） |
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| 摘 要： | 成功制备出2.6μm GaSb基I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱高功率半导体激光器.利用分子束外延设备(MBE)生长出器件的材料结构.为了得到更好的光学质量, 将量子阱的生长温度优化至500℃, 并将量子阱的压应变调节为1.3%.制备了脊宽100 μm 、腔长1.5 mm的激光单管器件.在未镀膜下该激光器实现了最大328 mW室温连续工作, 阈值电流密度为402 A/cm2, 在脉冲工作模式下, 功率达到700 mW.
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| 关 键 词： | GaSb基，半导体激光器，量子阱，中红外 |
| 收稿时间： | 2016/9/27 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2016/10/19 0:00:00 |
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