| 大功率高效率2μm锑化镓基量子阱激光器 |
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| 引用本文： | 廖永平,张宇,杨成奥,黄书山,柴小力,王国伟,徐应强,倪海桥,牛智川.大功率高效率2μm锑化镓基量子阱激光器[J].红外与毫米波学报,2016,35(6):672-675. |
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| 作者姓名： | 廖永平 张宇 杨成奥 黄书山 柴小力 王国伟 徐应强 倪海桥 牛智川 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 超晶格与微结构国家重点实验室,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划（973计划）;国家自然科学基金项目（面上项目，重点项目，重大项目） |
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| 摘 要： | 通过MBE外延系统生长了2微米GaSb基AlGaAsSb/InGaSb I型量子阱激光器，并制备了宽面条形波导激光器件，在20℃工作温度下，器件最大连续激射功率达到1.058W，当注入电流为0.5A时，峰值波长为1.977μm，最大能量转换效率为20.2%，在脉冲频率为1000Hz，占空比为5%的脉冲工作模式下，最大激射功率为2.278W.
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| 关 键 词： | 高功率，激光二极管，中红外，量子阱 |
| 收稿时间： | 2016/3/25 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2016/4/19 0:00:00 |
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