| LB法制备的P(VDF TrFE)共聚物薄膜其光学和电学特性研究 |
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| 引用本文： | 王建禄,孟祥建,高艳卿,黄志明,沈宏,孙璟兰,褚君浩. LB法制备的P(VDF TrFE)共聚物薄膜其光学和电学特性研究[J]. 红外与毫米波学报, 2010, 29(6): 406-409 |
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| 作者姓名： | 王建禄 孟祥建 高艳卿 黄志明 沈宏 孙璟兰 褚君浩 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（面上项目，重点项目，重大项目）National Natural Science Foundation of China (60221502, 60777044, 60771057), Natural Science Foundation of Shanghai (07JC14018, 07ZR14129) |
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| 摘 要： | 运用郎缪尔布尔吉特法在聚酰亚胺衬底上制备聚偏氟乙烯及三氟乙烯(P(VDFTrFE))共聚物薄膜.不同厚度薄膜的X射线衍射结果表明，薄膜具有良好的结晶特性，取向为（110）.运用波长范围为300~1300nm的椭圆偏振光谱仪对薄膜光学特性进行了表征；运用Cauchy模型对不同角度（θ=75°和85°）测得的Ψ 和 Δ数据进行了拟合.获得了P(VDFTrFE)薄膜的光学参数n, k, α以及薄膜的厚度.另外对薄膜的铁电性质的测量，其剩余极化达到了6.3μC/cm2, 矫顽电场为100MV/cm.介电测量得到了薄膜两个明显的相变，铁电介电相变以及β弛豫.
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| 关 键 词： | LB技术 P(VDFTrFE)薄膜 椭圆偏振光谱 电学特性 |
| 收稿时间： | 2009-10-20 |
| 修稿时间： | 2010-06-26 |
Optical and electric properties of poly (vinylidene fluoried trifluoroethylene) thin film by Langmuir Blodgett technique |
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| WANG Jian-Lu,MENG Xiang-Jian,GAO Yan-Qin,HUANG Zhi-Ming,SHEN Hong,SUN Jing-Lan and CHU Jun-Hao. Optical and electric properties of poly (vinylidene fluoried trifluoroethylene) thin film by Langmuir Blodgett technique[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2010, 29(6): 406-409 |
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| Authors: | WANG Jian-Lu MENG Xiang-Jian GAO Yan-Qin HUANG Zhi-Ming SHEN Hong SUN Jing-Lan CHU Jun-Hao |
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| Affiliation: | National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences,Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences,Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences,Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences,Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences,Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences,Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences |
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