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| GaAs基InAs/AlSb二维电子气结构的生长优化（英文） | |
| 引用本文： | 崔晓然,吕红亮,李金伦,苏向斌,徐应强,牛智川.GaAs基InAs/AlSb二维电子气结构的生长优化（英文）[J].红外与毫米波学报,2018(4). |
| 作者姓名： | 崔晓然 吕红亮 李金伦 苏向斌 徐应强 牛智川 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院;中国科学院半导体研究所超晶格实验室;中国人民解放军陆军工程大学石家庄校区导弹工程系;西北大学光子学与光子技术研究所;中国科学院大学材料科学与光电技术学院 |
| 摘 要： | 采用分子束外延设备(MBE),外延生长了InAs/AlSb二维电子气结构样品.样品制备过程中,通过优化AlGaSb缓冲层厚度和InAs/AlSb界面厚度、改变AlSb隔离层厚度,分别对比了材料二维电子气特性的变化,并在隔离层厚度为5nm时,获得了室温电子迁移率为20500cm~2/V·s,面电荷密度为2.0×1012/cm~2的InAs/AlSb二维电子气结构样品,为InAs/AlSb高电子迁移率晶体管的研究和制备提供了参考依据. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |