| 近表面加工技术制备的高性能Ge:B 阻挡杂质带探测器 |
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| 引用本文： | 潘昌翊,牟浩,姚晓梅,胡桃,王宇,王超,邓惠勇,戴宁. 近表面加工技术制备的高性能Ge:B 阻挡杂质带探测器[J]. 红外与毫米波学报, 2022, 41(2): 389-394 |
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| 作者姓名： | 潘昌翊 牟浩 姚晓梅 胡桃 王宇 王超 邓惠勇 戴宁 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083;中国科学院大学，北京 100049,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083;中国科学院大学，北京 100049,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083;中国科学院大学，北京 100049,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083;中国科学院大学，北京 100049,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083;中国科学院大学，北京 100049,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083;中国科学院大学，北京 100049;中国科学院大学 杭州高等研究院，浙江 杭州 310024 |
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| 基金项目： | Supported by National Natural Science Foundation of China （11933006）， and the Frontier Science Research Project （Key Programs） of the Chinese Academy of Sciences （QYZDJ-SSW-SLH018） |
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| 摘 要： | 阻挡杂质带（BIB）探测器是当前远红外天文探测领域的主流探测器。通过近表面加工技术成功制备出了高性能的Ge:B BIB探测器，响应波数范围从50 cm-1到400 cm-1。在3.5 K温度和30 mV工作电压下，器件在峰值响应84.9 cm-1处的响应率达到21.46 A·W-1，探测率达到4.34×1014cm·Hz1/2·W-1。研究了BIB探测器中界面势垒对响应光谱的影响。提出了一种新的激发模式—电极区内的载流子可以通过光激发的方式越过势垒。此外，还发现了一种增强BIB探测器在小波数处相对响应强度的方法。
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| 关 键 词： | 阻挡杂质带 探测器 界面势垒 激发模式 |
| 收稿时间： | 2021-04-13 |
| 修稿时间： | 2022-04-04 |
High performance Ge:B blocked impurity band detector developed using near-surface processing techniques |
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| PAN Chang-Yi,MOU Hao,YAO Xiao-Mei,HU Tao,WANG Yu,WANG Chao,DENG Hui-Yong and DAI Ning. High performance Ge:B blocked impurity band detector developed using near-surface processing techniques[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2022, 41(2): 389-394 |
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| Authors: | PAN Chang-Yi MOU Hao YAO Xiao-Mei HU Tao WANG Yu WANG Chao DENG Hui-Yong DAI Ning |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | blocked impurity band interfacial barrier excitation model far infrared |
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