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Hg_(1-x)Cd_xTe低温热处理条件与组分的关系
引用本文:萧继荣,唐荷珍.Hg_(1-x)Cd_xTe低温热处理条件与组分的关系[J].红外与毫米波学报,1986,5(5).
作者姓名:萧继荣  唐荷珍
作者单位:中国科学院上海技术物理研究所 (萧继荣),中国科学院上海技术物理研究所(唐荷珍)
摘    要:由于Hg空位的作用,高温下平衡的HgCdTe晶体是P型的。P型样品经低温处理后,转变为N型。在经各种不同条件处理的样品中,选择各种组分、结构较好、晶粒大的样品,在表面做电极,在77K至室温的范围内,在磁场强度为2kGs下,用范德堡法测量其霍耳系数R,电阻率ρ,计算载流子迁移率。根据测量结果,选出霍耳曲线在低温端有平台、77K迁

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