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| P型长波Hg1—xCdxTe材料MBE生长技术研究 | |
| 引用本文： | 王善力,张勤耀.P型长波Hg1—xCdxTe材料MBE生长技术研究[J].红外与毫米波学报,1996,15(5):333-337. |
| 作者姓名： | 王善力 张勤耀 |
| 作者单位： | [1]中国科学院上海技术物理研究所红外我国国家重点实验室 [2]中国科学院上海技术物理研究所 |
| 摘 要： | 用分子束外延的方法ＧａＡｓ衬底上研制了Ｐ型长波ＨｇＣｄＴｅ材料，及３２×３２小规模长波混成红外焦平面列阵，其材料的均匀性以及生长材料的参数的可重复性良好，在适当的热处理条件，材料Ｐ型电学参数达到了较高水平，并具有良好的可重复性。 |
| 关 键 词： | 分子束外延 P型 HgCdTe |
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