| 短波红外InGaAs／InP光伏探测器系列的研制 |
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| 引用本文： | 张永刚,顾溢,朱诚,郝国强,李爱珍,刘天东.短波红外InGaAs／InP光伏探测器系列的研制[J].红外与毫米波学报,2006,25(1):6-9. |
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| 作者姓名： | 张永刚 顾溢 朱诚 郝国强 李爱珍 刘天东 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);国家科技攻关项目 |
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| 摘 要： | 采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层,研制了波长扩展的InGaAs/InP光伏探测器系列,其室温下的截止波长分别约为1.9μm,2.2μm.和2.5μm.对此探测器系列在较宽温度范围内的性能进行了细致表征,结果表明在室温下其R0A乘积分别为765,10.3和12.7Ωcm2,比室温降低100K时其暗电流和R0A可改善约3个量级.瞬态特性测量表明此探测器系列适合高速工作,实测响应速度已达数十ps量级.
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| 关 键 词： | 光伏探测器 短波红外 InGaAs 气态源分子束外延 |
| 文章编号： | 1001-9014（2006）01-0006-04 |
| 收稿时间： | 2005-04-15 |
| 修稿时间： | 2005-10-16 |
FABRICATION OF SHORT WAVELENGTH INFRARED InCcaAs/InP PHOTOVOLTAIC DETECTOR SERIES |
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| ZHANG Yong-Gang,GU Yi,ZHU Cheng,HAO Guo-Qiang,LI Ai-Zhen,LIU Tian-Dong.FABRICATION OF SHORT WAVELENGTH INFRARED InCcaAs/InP PHOTOVOLTAIC DETECTOR SERIES[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2006,25(1):6-9. |
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| Authors: | ZHANG Yong-Gang GU Yi ZHU Cheng HAO Guo-Qiang LI Ai-Zhen LIU Tian-Dong |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | photovoltaic detector short wavelength infrared InGaAs GSMBE |
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