| Al2O3/GaSb p-MOSFET器件电学性质模拟 |
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| 引用本文： | 甘凯仙,王林,邢怀中.Al2O3/GaSb p-MOSFET器件电学性质模拟[J].红外与毫米波学报,2015,34(5):528-532. |
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| 作者姓名： | 甘凯仙 王林 邢怀中 |
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| 作者单位： | 东华大学理学院应用物理系,中国科学院上海技术物理研究所,东华大学理学院应用物理系 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（面上项目，重点项目，重大项目） |
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| 摘 要： | 利用泊松方程和连续性方程对Al2O3/GaSb p-MOSFET进行二维数值分析,研究其在高场和载流子速度饱和下的电学特性以及漏极电流的开关电流比.与实验研究相对比,沟道长度为0.75 μm的GaSb p-MOS器件获得漏极电流最大为61.2mA/mm.改变沟道长度和GaSb衬底的掺杂浓度,由于高k介质栅电容效应和低阈值电压,漏极电流变化不大.在理想条件下,该器件获得超过三个数量级的漏极开关电流比以及较低的夹断漏电流(10-15A/μm).结果表明,基于高k介质的GaSb MOSFET是III-V族p沟道器件良好的候选材料.
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| 关 键 词： | Al2O3/GaSb p-MOSFET 饱和电流 漏极电流 开关电流比 |
| 收稿时间： | 7/3/2014 12:00:00 AM |
| 修稿时间： | 2014/9/10 0:00:00 |
Simulation of the electrical properties of Al2O3/GaSb p-MOSFET |
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| GAN Kai-Xian,WANG Lin and XING Huai-Zhong.Simulation of the electrical properties of Al2O3/GaSb p-MOSFET[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2015,34(5):528-532. |
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| Authors: | GAN Kai-Xian WANG Lin and XING Huai-Zhong |
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| Affiliation: | Department of Applied Physics, Donghua University,National Lab for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences and Department of Applied Physics, Donghua University |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Al2O3/GaSb p-MOSFET saturation current drain current Ion/Ioff ratios |
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