| 光伏型长波HgCdTe红外探测器的数值模拟研究 |
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| 引用本文： | 徐向晏,陆卫,陈效双,徐文兰.光伏型长波HgCdTe红外探测器的数值模拟研究[J].红外与毫米波学报,2006,25(4):251-256. |
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| 作者姓名： | 徐向晏 陆卫 陈效双 徐文兰 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(60244002)资助项目 |
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| 摘 要： | 报道了光伏型长波Hg1-xCdxTe(x=0.224)n-on-p红外探测器数值模拟研究的结果.采用二维模型,在背照射方式下,以p区厚度、两电极间距离、结区杂质浓度分布、少子寿命为参量,模拟计算了R0A积、零偏光电流与这些参量之间的变化关系.计算表明,随p区厚度增加,R0A积下降;R0A积随电极之间距离增大而增加,但量子效率随距离增大而降低,电极之间最佳距离大约为100μm;R0A积和光电流对结区杂质浓度分布形状不敏感;随少子(电子)寿命降低,R0A积和光电流下降.二维模型弥补了一维模型难以计算横向电流、电场的缺点.
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| 关 键 词： | HgCdTe 长波红外探测器 R0A积 量子效率 少子寿命 |
| 文章编号： | 1001-9014（2006）04-0251-06 |
| 收稿时间： | 2005-06-13 |
| 修稿时间： | 2005-06-132006-01-11 |
NUMERICAL SIMULATION OF LONG WAVELENGTH PHOTOVOLTAIC HgCdTe PHOTODIODES |
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| XU Xiang-Yan,LU Wei,CHEN Xiao-Shuang,XU Wen-Lan.NUMERICAL SIMULATION OF LONG WAVELENGTH PHOTOVOLTAIC HgCdTe PHOTODIODES[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2006,25(4):251-256. |
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| Authors: | XU Xiang-Yan LU Wei CHEN Xiao-Shuang XU Wen-Lan |
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| Affiliation: | National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Science, Shanghai 200083, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HgCdTe long wavelength IR photodiodes R_0A product quantum efficiency minority carrier lifetime |
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